高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究
作者：
收录：
摘要：
新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域.通过理论及仿真分析,与无隐埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较.结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2007，电力电子技术
2019，电子世界
1984，电子技术应用
2013，2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
来源 ：
中国集成电路
ISSN： 1681-5289
年份： 2009
期： 2
卷： 18
页码： 13-16
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 1
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
全文获取
外部链接：
