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引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究
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利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱特性,结果表明通过引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层缓解了量子阱有源区中的应力,改善了多量子阱表面形貌,减少了V型缺陷密度,而且提高了多量子阱的光致发光强度,从而也改进了LED的发光效率.
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来源 ：
物理学报
年份： 2009
期： 01
卷： 58
页码： 590-595
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