用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED。通过实验结果对比表明,表面生长λ/4nSiON加λ/2nITO增透膜结构复合增透膜的LED,器件光学性能提高最佳,在20　mA注入电流下,光强和光通量分别达到141.7　mcd和0.473　3　lm。比同样结构的无增透膜LED轴向光强和光通量分别提高138%和91%。