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[期刊论文]
一种低电压带隙基准电压源的设计
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分析了传统CMOS工艺带隙基准源电路中基准电压设计的局限性.给出了一种低电源电压带隙基准源的电路设计方法,该电路采TSMC0.13 μm CMOS工艺实现,通过Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的600mV电压在-30～100℃范围内的温度系数为12×10-6/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)可达-81 dB,可在1～1.8V范围内能正常工作.
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来源 ：
电子元器件应用
ISSN： 1563-4795
年份： 2009
期： 8
卷： 11
页码： 61-63
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