在有机半导体自旋电子器件中,自旋从铁磁极注入到有机半导体后,自旋相上的极化子和自旋向下的极化子有不同的态密度,从而产生不同的电导。利用自旋漂移-扩散方程通过自洽计算得到了铁磁/有机半导体自旋注入结构中极化子自旋相关的电导和电流的自旋极化率。计算结果表明,极化子电导的自旋相关性是自旋注入引起的,和电流的自旋极化率密切相关;在自旋注入发生后,有机半导体内不同位置上极化子自旋态密度不同,由此产生的极化子电导也不相同,极化子电导是位置的函数。另外还发现,外电场会增强有机半导体电流的自旋极化率。