摘要：
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了非晶氮化镓(a-GaN)5 nm超薄膜及300 nm普通薄膜并研究了其场发射性能.实验表明:较之于普通非晶GaN薄膜,a-GaN纳米超薄膜具有更为优异的场发射特性,在设定阈值电流密度为1 μA/cm2时,其阈值电场仅为0.78 V/μm(为目前报道的GaN薄膜场发射最好结果);而当所加的电场为3.72V/μm时,发射电流密度高达42 mA/cm2.研究结果从实验上验证了基于宽带隙半导体超薄膜场发射的理论机制(Binh等.Phys Rev Lett,2000,85(4):864-867),即由于超薄膜导致的阴极表面势垒显著降低,从而极大地增强了场发射性能.
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