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摘要：
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°-0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶重构直接导致的台阶朝向随机分布、疏密不匀的形貌.电子背散射分析表明,在0°倾角衬底的n型GaN外延层的应力随外延厚度增加而增加,而0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN外延层的应力没有明显的变化.电学和光学特性研究表明,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN有较高的电子浓度和较低的黄光带与近带边强度之比.
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