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崔碧峰 (崔碧峰.) | 黄宏娟 (黄宏娟.) | 张蕾 (张蕾.) | 张楠 (张楠.) (学者:张楠) | 王智群 (王智群.) | 沈光地 (沈光地.)

收录:

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摘要:

针对980 nm大功率半导体激光器,分析了不同腔长下,最佳工作点功率转换效率的分布,分别计算了对应的光电转换效率,电压损失效率,阈值损失效率与缺陷损失效率随腔长的变化情况.分析表明随着腔长的增加,最佳输出功率值增加,但功率效率有所下降.缺陷损失效率是导致光电转换效率下降的主要因素,降低内损耗是提高最佳工作点功率转换效率最直接的方法.给出了不同内损耗情况下,最佳功率转换效率随腔长的分布.

关键词:

内损耗 功率转换效率 半导体激光器 大功率

作者机构:

  • [ 1 ] [崔碧峰]北京工业大学
  • [ 2 ] [黄宏娟]北京工业大学
  • [ 3 ] [张蕾]北京工业大学
  • [ 4 ] [张楠]北京工业大学
  • [ 5 ] [王智群]北京工业大学
  • [ 6 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 :

半导体光电

ISSN: 1001-5868

年份: 2009

期: 6

卷: 30

页码: 835-837,873

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