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吴郁 (吴郁.) | 王浩 (王浩.) | 程序 (程序.) | 亢宝位 (亢宝位.)

收录:

CQVIP PKU CSCD

摘要:

以400V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响寄生晶体管所起作用等问题. 最后给出了主晶体管与内二极管间距的优化设计值. 这些为理解问题进而设计出主晶体管与内二极管之间新的隔离措施奠定了理论基础.

关键词:

主晶体管 内二极管 双极功率集成器件 反向恢复时间 漏电流

作者机构:

  • [ 1 ] [吴郁]北京工业大学
  • [ 2 ] [王浩]北京工业大学
  • [ 3 ] [程序]北京工业大学
  • [ 4 ] [亢宝位]北京工业大学

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来源 :

北京工业大学学报

ISSN: 0254-0037

年份: 2009

期: 9

卷: 35

页码: 1168-1174

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