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基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款工作在3～10 GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器.该放大器采用电阻负反馈结构,并在发射极并联电容,以补偿晶体管高频增益的下降.仿真结果显示,在整个工作频带内,放大器的增益在22.3 dB以上,平坦度保持在1 dB以内,噪声系数在3.7 dB到4.6 dB之间,输入输出反射系数(S_(11)及S_(22))均在-12 dB以下.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,对于商业应用具有极大的吸引力.
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Source ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2009
Issue： 6
Volume： 39
Page： 807-810
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