提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd.首次通过仿真对包括BTB-JFET、常规的无埋氧层的沟槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和现在正在广泛应用的Trench-MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较,得到有重要意义的结论.采用阻性负载电路.仿真结果表明,与T-MOSFET和常开型TB-JFET相比,常开型BTB-JFET在1MHz时开关功耗分别降低了37%和14%.进行实验以证明仿真上作的合理性,首次成功地制造出常开型BTB-JFET和TB-JFET,其中埋氧结构是通过热氧化的方法实现的.实验结果表明,与TB-JFET相比,在源漏零偏压时,BTB-JFET的Cgd减小了45%;在1MHz时,其开关时时与开关功耗分别降低了约7.4%和11%.因此常开型BTB-JFET应是今后低压高频功率开关器件的研究发展方向.