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沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻Rds(on)
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近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高.本文对该方面的新发展进行了论述.本文上篇着重于降低通态电阻Rds(on)方面的技术发展,下篇着重于降低优值FOM方面的技术发展.
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来源 ：
中国集成电路
ISSN： 1681-5289
年份： 2008
期： 5
卷： 17
页码： 19-26
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