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作者：

裘利平 (裘利平.) | 郭伟玲 (郭伟玲.) | 罗丹 (罗丹.) | 崔碧峰 (崔碧峰.) | 张蕾 (张蕾.) | 沈光地 (沈光地.)

收录：

PKU CSCD

摘要：

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980　nm　InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器,测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980　nmInGaAs　SQW激光器在30～70℃范围内的P-I-V特性曲线,对比分析了两种材料系980　nm激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度的变化,并对InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器进行了可靠性实验。

关键词：

大功率激光器 无铝 激光器 热特性 特征温度

作者机构：

  • [ 1 ] 北京工业大学北京光电子技术实验室

通讯作者信息：

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来源 ：

中国激光

年份： 2009

期： 06

卷： 36

页码： 1356-1359

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