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收录：

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摘要：

采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量CaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FIT)提取菊池花样的衍射强度,识别CaN外延结构中的应变/无应变区域.

关键词：

CaN外延层 微区应力 电子背散射衍射(EBSD)

作者机构：

  • [ 1 ] [王俊忠]北京工业大学
  • [ 2 ] [吉元]北京工业大学
  • [ 3 ] [田彦宝]北京工业大学
  • [ 4 ] [牛南辉]北京工业大学
  • [ 5 ] [徐晨]北京工业大学
  • [ 6 ] [韩军]北京工业大学
  • [ 7 ] [郭霞]北京工业大学
  • [ 8 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 ：

电子学报

ISSN： 0372-2112

年份： 2008

期： 11

卷： 36

页码： 2139-2143

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