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GaN外延结构中微区应变场的测量和评价
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采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量CaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FIT)提取菊池花样的衍射强度,识别CaN外延结构中的应变/无应变区域.
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来源 ：
电子学报
ISSN： 0372-2112
年份： 2008
期： 11
卷： 36
页码： 2139-2143
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