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[期刊论文]
1/f噪声源与其在半导体器件可靠性评估中的应用
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1/f噪声,由于其能够反映器件的质量与可靠性参数,其研究受到重视.本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:迁移率涨落模型和载流子涨落模型,最后介绍了几个1/f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例.
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来源 ：
环境技术
ISSN： 1004-7204
年份： 2008
期： 4
卷： 26
页码： 32-34,44
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