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[期刊论文]
Ni颗粒对SnBi焊点电迁移的抑制作用
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为抑制芯片中微小焊点的电迁移,向共晶SnBi钎料中添加微米级Ni颗粒,并在??0.5 mm铜线接头上形成焊点.结果表明:当电流密度为104 A/cm2、通电96 h后,阳极附近没有出现富Bi层,即电迁移现象得到抑制.这是由于Ni颗粒与Sn形成了IMC,阻挡了Bi沿Sn基体扩散的快速通道,防止了两相分离,提高了焊点可靠性.
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来源 ：
电子元件与材料
ISSN： 1001-2028
年份： 2008
期： 11
卷： 27
页码： 60-63
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