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[期刊论文]
GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析
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采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.
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来源 ：
功能材料
ISSN： 1001-9731
年份： 2008
期： 3
卷： 39
页码： 515-518,522
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