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Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性
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通过I-V测量研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系.在室温下肖特基势垒高度为0.75 eV,理想因子为2.06.温度升高,肖特基势垒高度增加,理想因子下降,主要原因是受异质结和二维电子气的影响.在正向电流为1 mA时,室温下的正向电压为1.65V, 从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6mV/℃.
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来源 ：
北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
年份： 2008
期： 4
卷： 34
页码： 365-368
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