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一种新型全方位反射AlGaInP薄膜发光二极管
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摘要：
提出了一种新型全方位反射A1GalnP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化,生长ITO,制作厚AuGeNi电极,合金则形成ODR薄膜LED结构.300μm×300μm管芯裸装在TO-18金属管座上,在20mA的电流驱动下,测得电压为2.2V,光强达到195mcd,光功率达到3.78mW,比常规吸收衬底LED提高3.6倍.
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英文标题
5Study of a New Pattern of Omni-Directional Reflector AlGaInP Thin-Film Light-Emitting Diodes
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分类号
TN3
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WF:perioarticalbdtxb200804026
语言
中文
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来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2008
期： 4
卷： 29
页码： 751-753
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