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王晓冬 (王晓冬.) | 吉元 (吉元.) | 钟涛兴 (钟涛兴.) | 李志国 (李志国.) | 夏洋 (夏洋.) | 刘丹敏 (刘丹敏.) (学者:刘丹敏) | 肖卫强 (肖卫强.)

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摘要:

采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散。与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡层的Cu膜的{111}织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661.7MPa。

关键词:

Cu互连 X射线衍射仪 二次离子质谱仪 扩散阻挡层 氮氧化硅

作者机构:

  • [ 1 ] 中国人民武装警察部队学院基础部
  • [ 2 ] 北京工业大学固体微结构与性能研究所
  • [ 3 ] 北京工业大学电子信息与控制工程学院
  • [ 4 ] 中国科学院微电子中心
  • [ 5 ] 北京工业大学固体微结构与性能研究所 河北廊坊065000
  • [ 6 ] 北京100022
  • [ 7 ] 北京100029

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来源 :

微纳电子技术

年份: 2008

期: 03

页码: 179-182

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