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[期刊论文]
超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响
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对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍.以应用超结理论的C00LMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍.
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来源 ：
中国集成电路
ISSN： 1681-5289
年份： 2008
期： 8
卷： 17
页码： 15-21
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