高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
立方氮化硼薄膜注入Be的Hall效应研究
作者：
收录：
摘要：
本文应用RF溅射法,在n型Si(100)衬底上制备BN薄膜.首次用离子注入工艺,将铍(Be)离子注入到BN薄膜中使之成为p-型.我们用范德堡方法对该薄膜进行了室温下的霍尔效应测量,薄膜为P型导电,电阻率为10-3Ω·cm左右,迁移率14～28 cm2/V·S,载流子浓度1019～1020cm-3,霍尔系数10-1cm-3/C左右,用此法制备的P-BN/n-BN异质结,有明显的整流特性.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2016，第九届全国高等学校物理实验教学研讨会
2016，人工晶体学报
2012，物理学报
2016，大学物理实验
来源 ：
人工晶体学报
ISSN： 1000-985X
年份： 2008
期： 2
卷： 37
页码： 504-506
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 2
中文被引频次：
近30日浏览量： 2
归属院系：
理学部
全文获取
外部链接：
