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MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管
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设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接.双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd.
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来源 ：
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ISSN： 1005-0086
年份： 2008
期： 5
卷： 19
页码： 591-594
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