A　series　of　nanostructured　GaN　Films　have　been　prepared　on　Si　substrates.　Field　emission　measurements　show　that　the　oriented　nanostructured　GaN　film　with　a　thickness　of　40　nm　has　an　ultralow　threshold　field　of　1.2　V/mu　m　at　1　mA/cm(2)　and　yields　a　stable　emission　current　of　40　mA/cm(2)　at　2.8　V/mu　m,　which　is　comparable　to　those　of　carbon　nanotubes.　A　polarization　field　emission　enhancement　mechanism　with　ballistic　electron　transport　is　proposed　to　explain　the　origin　of　this　ultralow-threshold　field　emission　phenomenon.