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立方氮化硼薄膜的光学带隙
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用射频溅射法在P型Si(100)衬底上沉积立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识,用紫外-可见分光光度计测量了c-BN薄膜的反射光谱,利用K-K(Kramers-Kroning)关系从反射谱计算出c-BN薄膜的光吸收系数,进而确定c-BN薄膜的光学带隙.对于立方相含量为55.4%的c-BN薄膜,光学带隙为5.38 eV.
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来源 ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
年份： 2008
期： 10
卷： 57
页码： 6631-6635
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JCR@2022
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