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[期刊论文]
单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备
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通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.
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来源 ：
功能材料与器件学报
ISSN： 1007-4252
年份： 2008
期： 5
卷： 14
页码： 915-918
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