本文采用紊流模型对大直径单晶硅在垂直磁场及勾形磁场作用时熔体内动量及热量输运作了数值模拟。采用有限体积法离散控制方程,采用SIMPLE((Semi-implicit　Method　for　Pressure　Linked　Equations)算法耦合压力和速度场。对无磁场、垂直磁场及勾形磁场作用下熔体内的传输特性进行了比较。数值计算结果表明,垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效应。垂直磁场强度过大,不利于晶体生长。随着勾形磁场强度的增加,熔体内子午面上的流动减弱,并且紊流强度也相应降低。