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不断发展中的IGBT技术概述
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概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等.
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来源 ：
电力电子技术
ISSN： 1000-100X
年份： 2007
期： 9
卷： 41
页码： 115-118
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