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作者:

王来东 (王来东.)

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摘要:

随着便携式移动通讯的发展,射频集成电路有了更广泛的应用.CMOS工艺的不断进步,使其在射频领域的应用有实用化的价值,其中全CMOS低噪声放大器的实现有助于无线通讯的高度集成.本文讨论了几种CMOS低噪声放大器的设计方法,分析了其噪声影响及相关制约因素,并展望了CMOS技术在低噪声放大器中的应用前景.

关键词:

CMOS 低噪声放大器 匹配网络 栅漏电容 电容交叉耦合

作者机构:

  • [ 1 ] [王来东]北京工业大学

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来源 :

中国高新技术企业

ISSN: 1009-2374

年份: 2007

期: 8

页码: 118-119

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