Amorphous　gallium　nitride　(a-GaN)　films　with　thicknesses　of　5　and　300　nm　are　deposited　on　n-Si　(100)　substrates　by　pulsed　laser　deposition　(PLD),　and　their　field　emission　(FE)　properties　are　studied.　It　shows　that　compared　with　thicker　(300　nm)　a-GaN　film,　better　FE　performance　is　obtained　on　ultrathin　(5　nm)　a-GaN　film　with　a　threshold　field　of　0.78　V/A　mu　m,　which　is　the　lowest　value　ever　reported.　Furthermore,　the　current　density　reaches　42　mA/cm(2)　when　the　applied　field　is　3.72　V/A　mu　m.　These　experimental　results　unambiguously　confirm　Binh＇s　theoretical　analysis　(Binh　et　al.　Phys　Rev　Lett,　2000,　85(4):　864-867)　that　the　FE　performance　would　be　prominently　enhanced　with　the　coating　of　an　ultra-thin　wide　band-gap　semiconductor　film.