With　a　steady　temperature　increase　under　high　vacuum　(HV)　in　an　environmental　scanning　electronic　microscope,　we　observed　charge-free　characterization　and　fine　secondary　electron　(SE)　images　in　focus　for　insulating　ceramics　(alumina　(Al2O3),　aluminum　nitride　(AlN),　pure　magnesium　silicate　(Mg2SiO4)).　The　sample　current　I-sc　increased　from　-8.18　x　10(-13)　to　2.76　x　10(-7)　A　for　Al2O3　and　-9.28　x　10(-12)　to　2.77　x　10(-6)　A　for　AlN　with　the　temperature　increased　from　298　to　633　K.　The　surface　conductance　sigma　increased　from　5.6　x　10(-13)　to　5.0　x　10(-11)/Omega　for　Al2O3　and　1.1　x　10(-12)　to　1.0　x　10(-7)/Omega　for　AlN　with　the　temperature　increased　from　363　to　593　K.　The　SE　image　contrast　obtained　via　heating　approach　in　high　vacuum　with　an　Everhart-Thornley　SE-detector　was　better　than　that　via　conventional　approach　of　electron-ion　neutralization　in　low　vacuum　(LV)　with　a　gaseous　SE-detector.　The　differences　of　compensation　temperatures　for　charge　effects　indicate　dielectric　and　thermal　properties,　and　band　structures　of　insulators.　The　charge　compensation　mechanisms　of　heating　approach　mainly　relate　to　accelerated　release　of　trapped　electrons　on　insulating　surface　and　to　increase　of　electron　emission　yield　by　heating.　(C)　2009　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.