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SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化
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模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响.在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻.模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏置点不受影响,三阶交调信号幅度最小,功率增益平坦度得到改善,而且S参数也能满足功放的要求.
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来源 ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
年份： 2007
期： 12
卷： 32
页码： 1025-1027,1064
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