应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究 - 文章详情页

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达小丽 (达小丽.) | 郭霞 (郭霞.) (学者：郭霞) | 关宝璐 (关宝璐.) | 董立闽 (董立闽.) | 沈光地 (沈光地.) 展开

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摘要：

研究了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜时,射频功率和腔室压力对氮化硅薄膜应力的影响以及应力与沉积速率的关系.通常认为高频下制备得到的氮化硅膜呈现张应力,但是通过实验,表明即使应用高频(13.56MHz)作为激励源同样可以沉积出呈现压应力的氮化硅薄膜.并使用角度可变光谱型椭偏仪观察了薄膜的厚度和低应力氮化硅膜的mapping图,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对不同应力状态下的氮化硅膜的化学键结构进行了分析.

关键词：

应力腔室压力等离子体增强化学气相沉积射频功率氮化硅

作者机构：

[ 1 ] [达小丽]北京工业大学
[ 2 ] [郭霞]北京工业大学
[ 3 ] [关宝璐]北京工业大学
[ 4 ] [董立闽]北京工业大学
[ 5 ] [沈光地]北京工业大学

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来源：

固体电子学研究与进展

ISSN： 1000-3819

年份： 2007

期： 1

卷： 27

页码： 138-142

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