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生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性
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利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响.结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降.
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来源 ：
光电子·激光
ISSN： 1005-0086
年份： 2007
期： 4
卷： 18
页码： 422-424
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