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[期刊论文]
p型氮化镓不同掺杂方法研究
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采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.
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来源 ：
功能材料
ISSN： 1001-9731
年份： 2007
期： 7
卷： 38
页码： 1123-1124,1131
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