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氧气氛退火对磁控溅射Ta2O5薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响
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本文采用磁控溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了退火前、500℃氧气氛退火半小时之后、800℃氧气氛退火半小时之后的Ta2O5薄膜的结构、表面形貌及电学性能.退火前和500℃退火的薄膜均为非晶薄膜,但500℃退火之后能使非晶薄膜结构更加致密,表面更加平整,并且给薄膜进行了补氧,提高了薄膜的绝缘性能.800℃退火之后的薄膜出现了结晶颗粒,晶界引起了大的漏电流,使薄膜的绝缘性能下降.
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来源 ：
北方工业大学学报
ISSN： 1001-5477
年份： 2007
期： 3
卷： 19
页码： 58-61
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