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[期刊论文]
对Si和SiC纳米线中由应力引起的结构演化的高分辨显微研究
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[编者按]:2007年11月20日,2007第六届中国国际纳米科技(成都)研讨会隆重召开,我国材料科学专家、中国科学院院士、北京工业大学副校长张泽应邀作了精彩的大会报告,报告主要介绍了张院士在Si和SiC纳米线微观行为等方面的最新发现以及研究进展,现将报告概要整理如下,谨供广大读者学习、参读.
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来源 ：
纳米科技
ISSN： 1812-1918
年份： 2007
期： 6
卷： 4
页码： 2-5
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