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[期刊论文]
1.8 V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
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通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8 V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25 V,温度系数低于1.8×10-5/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB.
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来源 ：
北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
年份： 2007
期： 10
卷： 33
页码： 1052-1055
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