高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
1.8 V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
作者：
收录：
摘要：
通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8 V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25 V,温度系数低于1.8×10-5/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2016，
2009，电子元器件应用
2013，微电子学
2014，软件
来源 ：
北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
年份： 2007
期： 10
卷： 33
页码： 1052-1055
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 1
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
全文获取
外部链接：
