高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
单掺Rb~+和Cs~+的KTP晶体生长及其电导率(英文)
作者：
收录：
摘要：
采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K6溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为0.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长。通过掺Rb+或Cs+,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350～1100nm范围内的光透过性质未受影响。
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2007，人工晶体学报
2006，人工晶体学报
2000，硅酸盐通报
2001，人工晶体学报
来源 ：
人工晶体学报
年份： 2007
期： 05
页码： 1052-1055
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
材料与制造学部 材料科学与工程学院
全文获取
外部链接：
