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[期刊论文]
808 nm半导体激光器腔面硫钝化工艺研究
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对808 nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究,发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性,输出功率提高了16.7%;经过1 500 h老化实验后,硫钝化的半导体激光器没有明显退化,而未处理的激光器退化严重,输出功率降低了36.8%.实验表明,硫钝化时间对激光器钝化效果有很大影响,激光器腔面硫钝化时间过长会造成其损伤,使其可靠性反而下降;硫钝化5 min效果为最佳.
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来源 ：
固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
年份： 2006
期： 2
卷： 26
页码： 201-204
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