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[期刊论文]
基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT
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介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz.
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2006，功能材料与器件学报
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来源 ：
功能材料与器件学报
ISSN： 1007-4252
年份： 2006
期： 6
卷： 12
页码： 541-545
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