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GaN基发光二极管的可靠性研究进展
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高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证.本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望.
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来源 :
半导体技术
ISSN: 1003-353X
年份: 2006
期: 3
卷: 31
页码: 161-165
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