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艾伟伟 (艾伟伟.) | 郭霞 (郭霞.) (学者:郭霞) | 刘斌 (刘斌.) | 宋颖娉 (宋颖娉.) | 刘莹 (刘莹.) | 沈光地 (沈光地.)

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摘要:

高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证.本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望.

关键词:

发光二极管 可靠性 氮化镓 退化机理

作者机构:

  • [ 1 ] [艾伟伟]北京工业大学
  • [ 2 ] [郭霞]北京工业大学
  • [ 3 ] [刘斌]北京工业大学
  • [ 4 ] [宋颖娉]北京工业大学
  • [ 5 ] [刘莹]北京工业大学
  • [ 6 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 :

半导体技术

ISSN: 1003-353X

年份: 2006

期: 3

卷: 31

页码: 161-165

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