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研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响.结果表明,在300～1100 nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大.并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2 nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808 nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3.
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