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李彤 (李彤.) | 李驰平 (李驰平.) | 王波 (王波.) (学者:王波) | 宋雪梅 (宋雪梅.) | 张铭 (张铭.) | 严辉 (严辉.)

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摘要:

对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较.对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因.卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散.电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱.

关键词:

p-n结 择优取向 整流特性 阻挡层

作者机构:

  • [ 1 ] [李彤]北京工业大学
  • [ 2 ] [李驰平]北京工业大学
  • [ 3 ] [王波]北京工业大学
  • [ 4 ] [宋雪梅]北京工业大学
  • [ 5 ] [张铭]北京工业大学
  • [ 6 ] [严辉]北京工业大学

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来源 :

功能材料与器件学报

ISSN: 1007-4252

年份: 2006

期: 5

卷: 12

页码: 413-417

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