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摘要：
采用扫描电镜中的电子背散射衍射(Electron Backscattering Diffraction,EBSD)技术,对硼掺杂的可动悬空硅薄膜和用于激光二极管(LED)的蓝宝石衬底上异质外延生长GaN层中的弹性应变区进行了测量.将菊池图的图像质量(IQ)和Hough转变强度,以及小角度晶界错配的统计数据作为应力敏感参数,研究了单晶材料系统中,微米～亚微米尺度的晶格畸变状态及局域弹性应变场.EBSD测试获得了硅薄膜窗口区域及LED的GaN外延层中的弹性应变分布.
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