高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
AlGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展
作者：
收录：
摘要：
回顾了在高温条件下A1GaN/GaN HEMT器件特性的研究进展.发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性.最后总结了适合高温下工作的AlGaN/GaN HEMT的改进方法.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2015，半导体学报（英文版）
2006，半导体技术
2015，
2017，半导体技术
来源 ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
年份： 2006
期： 1
卷： 31
页码： 48-51
被引次数：
WoS核心集被引频次：
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 2
中文被引频次：
近30日浏览量： 2
归属院系：
全文获取
外部链接：
