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[期刊论文]
AlGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展
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回顾了在高温条件下A1GaN/GaN HEMT器件特性的研究进展.发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性.最后总结了适合高温下工作的AlGaN/GaN HEMT的改进方法.
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来源 ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
年份： 2006
期： 1
卷： 31
页码： 48-51
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