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[期刊论文]
C掺杂GaAs外延层光学特性分析
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对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.
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来源 ：
量子电子学报
ISSN： 1007-5461
年份： 2006
期： 2
卷： 23
页码： 222-224
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