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[期刊论文]
薄栅CMOS的可靠性模型
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介绍了两种与栅氧化层失效有关的模型以及用于估计芯片寿命的热阻模型.随着晶体管特征尺寸的减小,现有的栅失效模型不能提供准确的计算和预测,因此提出了新的适用于小尺寸晶体管的栅失效模型.同时提出了用于评价芯片寿命的热阻和结温的估计模型.
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来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2006
期： z1
卷： 27
页码： 257-261
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