以Al0.3Ga07As/InAlGaAs/Al03Ga07As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808　nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率.首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长.通过优化外延生长条件,保证了5.08　cm片内的量子阱(QW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%.对于条宽为50　μm,腔长为750　μm的器件,经镀膜后的阈值电流为81mA,斜率效率为1.22　W/A,功率转换效率达53.7%.变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2　cm-1,内量子效率达90%.结果表明,压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性.