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[期刊论文]
SiGe/Si HBT低频噪声特性研究
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对Si/Si1-xGexHBT的低频噪声进行了模拟。频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响。模拟结果表明,Si/SiGeHBT具有优异的低频噪声特性。
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来源 ：
微电子学
年份： 2006
期： 01
页码： 23-26
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